Размерные Термоэлектрические Эффекты
Планк в своей обобщающей взаимоисключающие теории излучения Абсолютно Чёрного Тела рассмотрел идеализированный случай незатухающих резонансных фотонов и, выявив принципиально новый ЭЛЕМЕНТ - Квант, устранил, тем самым, ложную сингулярность. Но устранил её лишь в этом идеализированном случае, а описания некоторых конкретных эффектов, в их теориях, в том числе и прямо сопряжённые с моделью Планка, остались непричёсанные. И не только в теориях, являющихся компиляцией квантового и классического подхода. Но и некоторые чисто классические и активно используемые модели остались на допланковском уровне. Так ложные сингулярности можно увидеть на примере двух моделей/подходов, описывающих оптические свойства даже свободных электронов в твёрдом теле. И учитывающая размерные эффекты обобщённая модель Скин-Плазменного Поглощения позволяет их устранить строго по планковски. С термодинамикой и её прямым проявлением с термоэлектричеством дело усложнялось тем, что вплоть до работ Ильи Пригожина размерные эффекты были од запретом и, тем самым альтернативное классическому рассмотрению термоэлектричества просто, до последних публикаций автора, не существовало. И хотя этих работах был проведён достаточно подробный анализ локальных Термо-ЭДС, а экспериментальные устройства на их базе уже прошли многочисленные испытания в разных организациях, тем не менее часто приходилось сталкиваться с полным непониманием этого эффекта. Собственно поэтому и была подготовлена эта пояснительная записка, объясняющая принципиальное отличие локальных термоэлектрических эффектов от диффузных, которую научное издательство Jomard Publishing любезно согласилось опубликовать в своём журнале
S.V. Ordin
LOCAL (NANO) THERMOELECTRIC EFFECTS,
the Journal of Modern Technology and Engineering, Vol.5, No.1, 2020
Abstract
Nano-effects, effects omitted between atomic and macroscopic, arise at different scales for different effects. For the Seebeck and Peltier diffusion thermoelectric effects, the upper boundary is naturally determined by the mean free path of the electrons. And the technology has long passed the boundary of diffuse thermoelectricity. So, in modern semiconductor structures and devices, it is necessary to take into account ballistic effects that arise at potential barriers, the research of which is devoted to the author’s series of works. The paper also noted a range of promising applications of such effects, called local thermoelectric effects in accordance with the local entropy production allowing them to exist, introduced by Ilya Prigozhin.
