Г. К. Сафаралиев
НИИ «Микроэлектроники и нанотехнологий» при Дагестанском государственном техническом университете, Махачкала, Россия

Постоянно растущие потребности техники и технологий обуславливают прогресс в современной твердотельной электронике, который связан с развитием технологии синтеза новых полупроводниковых материалов с заданными свойствами и, в частности, – селективного управления макроскопическими свойствами материала. В настоящее время в электронике сформировалось направление, которое может быть охарактеризовано как «научно-технический прорыв» в области элементной базы для создания нового поколения систем обеспечения ядерной, экологической безопасности, технических средств специального назначения, а также ряда конкурентоспособных изделий общегражданского применения с ранее недостижимыми энергетическими, частотными, массогабаритными параметрами и условиями эксплуатации. Дальнейшая перспектива создания нового поколения систем связана с освоением новых материалов, таких как карбид кремния и его твердые растворы с соединениями нитридов третьей группы.