Ю. И. Латышев¹, Е. Г. Шустин², А. Ю. Латышев¹, Н. В. Исаев², А. А. Щекин³, В. А. Быков^3
1Институт Радиотехники и Электроники им В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия
²Институт Радиотехники и Электроники им В. А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
³ЗАО «НТ МДТ», Москва, Россия

Выделенный недавно в свободном виде при нормальных условиях графен, монослой графита, продемонстрировал уникальные физические свойства двумерной системы, содержащей безмассовые носители – дираковские фермионы, а также высокие потенциальные прикладные возможности для создания полевых транзисторов нового поколения, прозрачных проводящих электродов и т.д. Первые образцы графена, полученные механическим отщеплением от графита, имели латеральный размер порядка нескольких микрон и могли быть использованы только для лабораторных исследований. Практическая реализация наноструктур на основе графена в электронике и оптоэлектронике поставила вопрос получения образцов высококачественного графена большой площади.