О. Н. Макеев, В. В. Привезенцев

Ранее в образцах n-Si<Zn>, для которых цинк вводился путем высокотемпературного диффузионного отжига в откаченных ампулах с последующей закалкой, методом наведенного тока в РЭМ были обнаружены протяженные дефекты размером в несколько мкм. Эти дефекты связывались с дислокациями и/или преципитатами цинка, осевшими на них. Позже этот же материал был исследован методом диффузного рассеяния рентгеновских лучей. Были обнаружены дефекты двух типов: сферические кластеры точечных дефектов вакансионного типа размером около 70нм и плоские межузельные макродефекты (дислокации и малоугловые границы) размером около 2мкм. В данной работе для визуализации топографии микроструктуры поверхности такого материала применялся сканирующий зондовый микроскоп (СЗМ) в режиме атомно-силовой микроскопии (АСМ).