Нанотехнологическое общество России информирует о том, что 15 ноября 2012 года в Москве, в Общественной палате, по адресу Миусская пл. 7, стр. 1 ОП РФ, БКЗ, пройдет Круглый стол по вопросу: «Современные технологии микро- и наноэлектроники».
Время проведения Круглого стола «Современные технологии микро- и наноэлектроники»: 16.00-18.00
Организатор: Комиссия Общественной палаты по науке и инновациям.
Соорганизаторы: Российская ассоциация содействия науке, Нанотехнологическое общество России.
Ведущие: Быков В. А., Патрикеев Л. Н.
Докладчики:
Орликовский А. А. «Проблемы энерговыделения и теплоотвода сверхбольших интегральных схем»
Русицкий М. В. «Производство теплоотводящих плат по ALOX-технологии»
Цели мероприятия: Проводимая под эгидой РАСН серия круглых столов и семинаров по вопросам современных технологий в различных областях науки и техники призвана привлечь внимание общественности к проблемам так называемой «прикладной науки» в Российской Федерации.
Традиционно бытует мнение, что большинство отраслевых научных центров деградировали за последние 20 лет и инженерно-технический потенциал в современной России больше не существует. Цикл семинаров и круглых столов по рассмотрению лучших практик современной отечественной науки и техники должны опровергнуть эту точку зрения.
С докладами приглашаются ведущие ученые РФ и стран СНГ, а также высокотехнологичные предприятия, которые показывают свои достижения и доказывают в ходе открытой дискуссии, что научный и инженерно-технологический потенциал на пространстве бывшего СССР, по крайней мере, в некоторых областях полностью соответствует высочайшему мировому уровню.
Количество приглашенных: 50 человек.
Не имеет смысла говорить, что мы догоним и перегоним, трудно будет бороться с существующими мировыми технологиями в сфере IT, по этому необходимо не пытаться "переплюнуть" Интел или другие мировые корпорации, а создать свою нишу в области электроники. В советские годы наша электронная промышленность осваивала не только кремний, но и другие виды полупроводников, так в чём вопрос, можно продолжить старые наработки, но с новыми тех процессами. Мало кто знает, что Интелу пришлось отказаться от напряжённого кремния при переходе на тех процесс 28 нм, а ведь он уступает по быстродействию и энергоэффективности алмазу, так что они сделали шаг назад в производительности приходящейся на один транзистор. Для производства чипов на алмазе нет необходимости делать весь чип из алмаза, можно "выращивать" плёнки из алмаза толщиною всего в 300 - 500 нм на поверхности кремния и в их толщине производить транзисторы тех процесса 90-45 нм. Кто-то скажет, что такие нормы размерности устарели, но быстродействие алмаза выше, чем у многих полупроводников. Для поднятия быстродействия в кремнии в 5 раз, тех процесс необходимо уменьшить в 25 раз, но свободный пролёт электрона сток-исток начинается с 18 нм в кремнии, так что для него такой масштаб (45/25=1.8 нм) недостижим, да и энергоэффективность сомнительная. Так что поле для новых начинаний есть. Можно начать с производства чипов зарекомендовавших себя на рынке, например ARM-7, думаю мало кто откажется от гаджета с процессором работающим на частотах от 1.2 до 3.6 ГГц.
От себя, жаль что производство алмазных подложек для наноэлектроники не освоили, ладно, что поняли что подразумевалось под узкоугольной лазерной полировкой алмаза, MOSFET (N - канальные с P-N изолированным затвором) ладно не освоили самый дешёвый, бох с ним пока....