Сотрудники Новосибирского Института физики полупроводников им. Ржанова (ИФП) СО РАН создали уникальную технологию, которая позволит сделать флеш-карты, работающие в два-три раза быстрее современных устройств. Кроме того, «флешки будущего» смогут дольше сохранять информацию. Об этом сообщает «Российская газета» «Российская газета» со ссылкой на официальное издание СО РАН «Наука в Сибири».

Уникальность разработки состоит в применении особого материала – мультиграфена. Он состоит из нескольких слоев графена и является сегодня одним из наиболее перспективных материалов как в электронике и нанотехнологиях, так и других областях. Российские физики уверены, что мультиграфен может стать запоминающей средой для хранения электрического заряда, а это, в свою очередь, формирует основу для флеш-устройств нового поколения.

В то же время, новосибирские специалисты уточняют, что в настоящее время проводятся фундаментальные исследования новой технологии. Говорить о производстве мультиграфеновых носителей в производственный масштабах пока рано – завод для их выпуска будет стоить не менее пяти миллиардов рублей.

Алеся Давыдова, Innov.ru