А. А. Щука, под ред. академика РАН, доктора физико-математических наук А.С. Сигова

Магистральное направление развития микроэлектроники – уменьшение топологических норм транзисторных структур, другими словами, переход от микрометрового в нанометровый диапазон линейных размеров или создание низкоразмерных структур. В этом случае говорят о наноэлектронике, и здесь рисуется совсем иная физическая картина. Уменьшение размеров на несколько порядков практически меняет физические основы работы наноэлементов. В наноэлементе используются уже не электроны как частицы, переносящие электрический заряд, а их волновые функции, наконец, спины.

Процессы дрейфа и диффузии, характерные для микроэлектронных элементов, в наноэлектронных элементах отсутствуют вовсе. В основе наноэлементов лежат полевые связи, сформированные потенциальные барьеры. «Вход» и «выход» элемента локализованы не в пространстве, а во времени. В наноэлектронных структурах определить «вход» или «выход» возможно в определенные промежутки времени, когда существует определенный порог внешних воздействий, соответствующий «входу» или «выходу». Этот промежуток времени получил название рефлекторного периода, с его помощью обеспечивается распространение сигнала в определенном направлении. Переход от одного устойчивого состояния наноструктуры к другому происходит через возбужденные неустойчивые состояния.

Издательство: БИНОМ. Лаборатория знаний
Год издания: 2012
Страниц: 342

Оглавление

Читать первые главы